雙波段發(fā)射率測試儀 遠紅外線分析儀

產品編號：TC-003402

雙波段發(fā)射率測試儀 、遠紅外線測試儀采用反射率法的測試原理，即通過采用主動黑體輻射源測定待測物表面的法向反射率，進而測出其在特定紅外波段的法向發(fā)射率。該儀器可測量常溫樣品在3～5um、8～14um、1～22um三個波段發(fā)射率。對特殊需要的用戶，通過的控溫加熱裝置，在常溫至300℃溫度范圍加熱樣品，進行發(fā)射率變溫測量。該儀器主要用于軍事裝備的紅外隱身、紅外烘烤、建材、紙張、紡織等行業(yè)對材料紅外輻射特性的測量研究。目前已在西北核技術所，東南大學等單位使用。
雙波段發(fā)射率測試儀 遠紅外線分析儀儀器特點：
1．儀器中有小型標準黑體輻射源，采用六位高精度微機控溫儀（能顯示到1mk），使儀器不僅具有穩(wěn)定的寬光譜測量范圍，而且大地提高了儀器在測量時的可靠性和穩(wěn)定性。
2．采用了*的光學調制技術，使測量不受被測物表面輻射及環(huán)境輻射的影響。
3．在儀器設計中，考慮到樣品漫反射引起的測量誤差，除鏡反射（MR）探測通道外，還增設了專門的漫反射（DR）補償通道，從而確保了儀器的測量精度。
4．在信號及電子學處理技術上采用鎖相技術和微電子技術，較好地實現了對微弱信號的探測，進一步提高了儀器性能。
5．本儀器操作簡單、使用方便、測量快速。
6．可按需更換濾光片，在多個紅外光譜波段內進行測試。
7．在測量過程中不損傷被測樣品。
8．本儀器帶RS-232串口及復位鍵RST。
主要技術指標 
1．測量波段：3～5um、8～14um、1～22um  
（若用戶有特殊要求，可定制不同波段濾光片）
2．發(fā)射率測量范圍：0.1～0.99
3．靈敏度NE△ε：0.001
4．示值誤差：±0.02 （ε>0.50）
5．重復性：±0.01
6．樣品溫度：常溫（特殊用戶為常溫～300℃）
7．樣品尺寸：>Ф50
8．測量時間：3秒后按測量鍵E，即顯示ε測量值。
9．顯示方法：LED數字顯示，末位0.001
10.電   源：  交流220V   50HZ

 

雙波長薄層掃描儀 型號：CS930

主要配置：

本儀器光源有2個，紫外光源（200-300nm）使用重氫可見光源（370-700nm）使用無燈；要進行熒光測定時，還可以使用增設高輝度水銀或氙鄧，衍射光柵為1200條/mm，入口狹縫固定，出口幅寬（5擋）和高度（7擋）可以獨立選擇，波長范圍是200-700nm電源（包括重氫燈電源，放大器電源，cpu電源）可在100V，117V200V 及240V任何一種電壓使用，鎢燈使用5.5V交流電AD轉換能力，具有8位CPU，ROM約為26KB，數據用RAM約15KB，保留存儲RAM約1KB。 
此外，在數據處理方面，分析時可進行色譜的直線掃描或鋸齒掃描的選擇，對分析樣品可給出吸收光譜及色譜的記錄，自動計算面積和打印結果。在存儲方面，儀器提供1-9文件存儲單元，可以存儲測試條件，對樣品有雜質情況下進行測定時，儀器可進行標準曲線及背景吸收的校正。
應用范圍：

雙波長色譜掃描儀（CS930）可對薄層色譜、凝膠電泳及紙上色譜進行快速、正確的測定。同時該儀器具有各種附件，提供了單波長及雙波長的透射、反射和熒光的色譜測定以及單波長的透射、反射及熒光的光譜測定。因此它被廣泛得應用在工業(yè)、農業(yè)、醫(yī)藥及科研的各個領域。

產品名稱：現貨 數顯式硅酸根分析儀 產品型號：ND2012

數顯式硅酸根分析儀 實驗室硅酸根分析儀 型號：ND2012

ND2012型數顯式硅酸根分析儀是一種可供實驗室使用的水質分析儀。該儀表廣泛應用于火力發(fā)電廠鍋爐給水蒸氣、化學除鹽水及凝結水中的硅酸根 (SiO2)的含量以及半導體器件行業(yè)、化工廠、制藥廠等純水中的硅酸根含量測定。 
ND2012型數顯式硅酸根分析儀主要特點： 
1：光源采用進口單色冷光源，功耗低，壽命長； 
2：光電測量系統(tǒng)設計有恒溫系統(tǒng)，信號不受環(huán)境溫度影響，無漂移 
3：智能延時排液 
4：智能延時標定 
  
ND2012型數顯式硅酸根分析儀    
 測量范圍 0~200µg/L （以SiO2計） 
 基本誤差  ± 2% FS 
 耗電功率  < 80W 
 工作電源  220VAC,50HZ 
 重復性誤差  < 1.5% FS 
 長期漂移   < 2% FS (24小時) 
 環(huán)境溫度 10℃～40℃ 
 相對濕度 ≤85％ 
 保修期一年